借助高分辨率低压扫描电镜技术,获取图形晶圆的纳米级成像,实现IC制造过程中,光刻及刻蚀工艺站点的关键尺寸CD(Critical Dimension)的测量和监控,以确保良率。该设备对标业内主流量产产品,又融合国际上电子束设备的最新技术,在荷电控制,定位精度,采样频率等方面有所突破,可以覆盖28纳米以...
该设备采用大束流高亮度电子枪及相差校正控制技术,兼具大视场、高速成像及先进多样的荷电控制手段,可用于先进工艺的图形晶圆的缺陷检测,尤其适用于高宽深比结构底部的形貌和材料缺陷,表面层以下的连通性相关的电性缺陷的检测。是先进工艺不可或缺的良率控制和工艺研发设备,解决国内先进工艺开发的卡脖子问题。