借助高分辨率低压扫描电镜技术，获取图形晶圆的纳米级成像，实现IC制造过程中，光刻及刻蚀工艺站点的关键尺寸CD(Critical Dimension)的测量和监控，以确保良率。该设备对标业内主流量产产品，又融合国际上电子束设备的最新技术，在荷电控制，定位精度，采样频率等方面有所突破，可以覆盖28纳米以上成熟工艺，满足 6/8/12寸硅基，碳化硅，氮化镓，蓝宝石等基片的量测需求。

　　产品亮点：自主镜筒设计贴合晶圆量测需求；静电偏转配合高速成像通道提供高吞吐率；高精度定位减免图像匹配需求；创新荷电控制技术实现更高测量精度。